王俊

教授

基本情况

王俊,男,汉族,1979年7月出生于湖北省黄冈市。湖南大学电气与信息工程学院教授、博士生导师。国家特聘青年专家、湖南省“高层次人才聚集工程”创新人才、湖南大学岳麓学者、东华软件青年学者。中国功率半导体技术创新与产业联盟专家委员会委员、中国电源学会器件专委会委员、中国电机工程学会电力电子器件专委会委员、中国物理学会应用物理前沿推介委员会。IEEE高级会员, IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics和IET Power Electronics编委。

联系方式:junwang@hnu.edu.cn、junwang-hnu@qq.com

教育及工作经历

2014.01 -至今,中国 湖南大学 教授

2010.02 - 2013.12,美国 德州仪器公司 高级工程师

2009.05 - 2009.08,美国 橡树岭国家实验室,实习

2007.05 - 2007.08,美国 科锐(Cree)公司,实习

2005.06 - 2009.12,美国 北卡罗莱纳州立大学 电子工程专业 博士

2003.08 - 2005.05,美国 南卡罗莱纳大学 电子工程专业 硕士

2000.09 - 2003.07,中国 中国科学院半导体研究所 固体电与微电子学专业 硕士

1996.09 - 2000.07,中国 华中科技大学 电子科学与技术系 学士

科研项目

主持了国家自科基金区域创新联合基金重点项目和湖南省重点研发计划项目等国家和省部级项目7项、企业技术合作项目20余项,参与国家重点研发计划和“863”等项目。

学术成果

发表论文:

[1]Chao Zhang, Jun Wang, Kun Qu and et al., "WBG and Si Hybrid Half-Bridge Power Processing Towards Optimal Efficiency, Power Quality, and Cost Tradeoff," in IEEE Transactions on Power Electronics. vol. 37, no. 6, pp. 6844-6856, June 2021.

[2]Jiang, J. Wang, H. Yu, J. Chen, Z. Zeng, X. Yang, Z. John Shen, "Online junction temperature measurement for SiC MOSFET based on dynamic threshold voltage extraction," in IEEE Transactions on Power Electronics, vol. 36, no. 4, pp. 3757-3768, April 2021.

[3]Peng, J. Wang, Z. Liu, Z. Li, Y. Dai, G. Zeng, Z. John Shen, "A Variable-Frequency Current-Dependent Switching Strategy to Improve Tradeoff between Efficiency and SiC MOSFET Overcurrent Stress in Si/SiC Hybrid Switch Based Inverters," in IEEE Transactions on Power Electronics, vol. 36, no. 4, pp. 4877-4886, April 2021.

[4]Li, J. Wang, B. Ji and Z. J. Shen, "Power Loss Model and Device Sizing Optimization of Si/SiC Hybrid Switches," in IEEE Transactions on Power Electronics, vol. 35, no. 8, pp. 8512-8523, Aug. 2020.

[5]Wang, Z. Li, X. Jiang, C. Zeng and J. Shen, "Gate Control Optimization of Si/SiC Hybrid Switch for Junction Temperature Balance and Power Loss Reduction", IEEE Transactions on Power Electronics, February 2019, vol 34, no. 2, pp. 1744-1754.

[6]Wang, X. Jiang, Z. Li and J. Shen, "Short-Circuit Ruggedness and Failure Mechanisms of Si/SiC Hybrid Switch", IEEE Transactions on Power Electronics, 2018, vol 34, no. 3, pp. 2771-2780.

[7]李宗鉴;王俊;余佳俊;江希;沈征; SiC JMOS和SiC DMOS在Si/SiC混合器件单相逆变器中的应用研究,中国电机工程学报, 2019, 39(19): 5674-5682+5895.

奖励与荣誉

[1]教育部高等学校科学研究优秀成果奖技术发明奖二等奖

[2]中国发明协会发明创业奖创新奖一等奖(排名第1)

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