廖蕾，博士，男，1981年10月出生，湖南大学半导体学院（集成电路学院）院长，教授，主要开展微纳电子器件的研究。

联系方式：liaolei@whu.edu.cn; liaolei@hnu.edu.cn;

2022年-现在，湖南大学半导体学院（集成电路学院）教授

2017年- 2021年，湖南大学物理与微电子科学学院教授

2011年- 2016年，武汉大学物理学院 教授

2009年- 2011年，加州大学洛杉矶分校 博士后，导师：段镶锋教授

2007年- 2009年，南洋理工大学 千禧研究员 导师：申泽襄/于霆 教授

2005年- 2007年，中国科学院物理所 联合培养，导师：王恩哥教授

2004年- 2009年，武汉大学物理学院硕博连读，导师：李金钗教授

2000年- 2004年，武汉大学物理学院 本科

主持国家重点研发项目、国家自然科学基金杰出青年项目、国家自然科学基金重点项目、国家自然科学基金区域联合基金重点项目和湖南省创新群体项目等，参与国家自然科学基金委重大集成项目、重点研发计划、02专项和应急项目等国家重大重点项目十多项。

发表论文：

[1]Tao Q. Y.; Wu R. X.; Zou X. M.;* Chen Y.; Li W. Y.; Lu Z. Y.; Ma L. K.; Kong L. A.; Lu D. L.; Yang X. K.; Song W. J.; Li W.; Liu L. T.; Ding S. M.; Liu X.; Duan X. D.;Liao L.;*Liu Y.;* High-density vertical sidewall MoS2transistors through T-shape vertical lamination,Nature Commun.2024, 15, 5774

[2]Liu C.; Zou X. M.;* Lv Y. W.; Liu X. Q.; Ma C.; Li K. L.; Liu Y.; Chai Y.;Liao L.;*He J.;* Controllable van der Waals gaps by water adsorption,Nature Nanotechnology2024, 19, 448

[3]Luo P. F., Liu C., Lin J., Duan X. P., Zhang W. J., Ma C., Lv Y. W., Zou X. M., Liu Y., Schwierz F., Qin W. J.,Liao L.,*He J.,* Liu X. Q.,*Molybdenum disulfide transistors with enlarged van der Waals gaps at their dielectric interface via oxygen accumulation,Nature Electronics2022, 5, 849

[4]Su W.H;Zhang S.;Liu C.;Tian Q. L.;Liu X. Q.;Li K. L.;Lv Y. W.;Liao L.;*Zou X. M.,*Interlayer Transition Induced Infrared Response in ReS2/2D Perovskite van der Waals Heterostructure Photodector,Nano Letters2022, 22, 101192

[5]Tian Q. L.; Hong R. H.; Liu C.; Hong X. T.; Zhang S.; Wang L. M.; Lv Y. W.; Liu X. Q.;Zou X. M.*;Liao L.*,Flexible SnO Optoelectronic Memory Based on Light-Dependent Ionic Migration in Ruddlesden-Popper Perovskite.Nano Letters2022, 22 (1), 494-500.

[6]Hong, R. H.; Tian, QJ. Y. Jiang, X. M. Zou,* Y. W. Lv, Y. Liu, W. T. Xu, Q. Y. Tao, Y. Chai, andL. Liao*Rational Design of Al2O3/2D Perovskite Heterostructure Dielectric for High Performance MoS2PhototransistorsNature Commun.11, 4266, (2020)

[7]S. L. Wei, F. Wang, X. M. Zou,* L. M. Wang, C. Liu, X. Q. Liu, W. D. Hu, Z. Y. Fan, J. C. Ho,* andL. Liao*Flexible Quasi-2D Perovskite/IGZO Phototransistors for Ultrasensitive and Broadband PhotodetectionAdv. Mater.32, 1907527, (2020)

[8]Z. D. Xie, Y. F. Liu*, andL. Liao*Ultrathin Dielectrics for 2D DevicesNature Electron.2, 559, (2019)

[9]L .M Wang, X. M. Zou,* J. Lin, J. Y. Jiang, Y. Liu, X. Q. Liu, X. Zhao, Y. F. Liu,* J. C. Ho, andL. Liao*Perovskite/Black Phosphorus/MoS2 Photogate Reversed Photodiodes with Ultrahigh Light On/Off Ratio and Fast ResponseACS Nano13, 4804, (2019)

[10]Z. P. Dou, Z. L. Chen, N. Li, S. Y. Yang,* Z. W. Yu, Y. W. Sun, Y. H. Li, B. Y. Liu, Q. Luo, T. B. Ma,L. Liao,*Z. F. Liu, and P. Gao* Atomic mechanism of strong interactions at the graphene/sapphire interfaceNature Commun.10, 5013, (2019)

[11]C. Wang, Q. Y. He, U. Halim, Y. Y. Liu, E. B. Zhu, Z. Y. Lin, H. Xiao, X. D. Duan, Z. Y. Feng, R. Cheng, N. O. Weiss, G. J. Ye, Y. C. Huang, H. Wu, H. C. Cheng, I. Shakir,L. Liao,*X. H. Chen, W. A. Goddard III, Y. Huang,* X. F. Duan* Monolayer atomic crystal molecular superlatticesNature555, 231,(2018)

[12]Z. Y. Yang, X. Q. Liu, X. M. Zou, J. L. Wang, C. Ma, C. Z. Jiang, J. C. Ho, C. F. Pan, X. H. Xiao*, J. Xiong*,L. Liao*Performance Limits of the Self-Aligned Nanowire Top-Gated MoS2TransistorsAdv. Funct. Mater.27, 1602250, (2017)

[13]J. L. Wang, Q. Yao, C. W. Huang, X. M. Zou,L. Liao*,S. S. Chen, Z. Y. Fan, K. Zhang, W. Wu, X. H. Xiao, C. Z. Jiang, W. W. Wu High Mobility MoS2Transistors with Low Schottky Barrier Contact by using Atomic Thick h-BN as a Tunneling LayerAdv. Mater.28, 8302, (2016).

[14]J. L. Wang, X. M. Zou, X. H. Xiao, L. Xu, C. L. Wang, C. Z. Jiang, J. C. Ho*, T. Wang, J. C. Li,L. Liao*Floating Gate Memory based Monolayer MoS2 Transistor with Metal Nanocrystals embedded in Gate Dielectrics.Small11, 208, (2015)

[15]X. Q. Liu, X. Liu, J. L. Wang, C. N. Liao, X. H. Xiao, S. S. Guo, C. Z. Jiang, Z. Y. Fan, T. Wang, X. S. Chen, W. Lu, W. D. Hu*,L. Liao*Transparent, High-Performance InGaZnO/Aligned-SnO2Nanowires Composite Thin-Film Transistors and Their Application in Photodetectors.Adv. Mater. 26, 7399, (2014)

[16]X. M. Zou, J. L. Wang, C. H. Chiu, Y. Wu, X. H. Xiao, C. Z. Jiang, W. W. Wu, L. Q. Mai, T. S. Chen, J. C. Li, J. C. Ho*,L. Liao*, Interface Engineering for High-Performance Top-Gated MoS2Field Effect Transistors.Adv. Mater.26, 6255, (2014)

[17]X. M. Zou, J. L. Wang, X. Q. Liu, C. L. Wang, Y. Jiang, Y. Wang, X. H. Xiao, J. C. Ho*, J. C. Li, C. Z. Jiang, Y. Fang,L. Liao*,Rational Design of Sub-ppm Specific Gas Sensors Array based on Metal Nanoparticles Decorated Nanowire Enhancement-Mode TransistorsNano Lett.13, 3287, (2013)

[18]X. Q. Liu, C. L. Wang, B. Cai, X. H. Xiao, S. S. Guo, Z. Y. Fan*, J. C. Li, X. F. Duan,L. Liao*, Rational Design of Amorphous Indium Zinc Oxide/Carbon Nanotubes Hybrid Film for Unique Performance TransistorNano Lett.12, 3596, (2012).

[19]L. Liao,J. W. Bai, R. Chen, H. L. Zhou, L. X. Liu, Y. Liu, Y. Huang, X. F. Duan, Scalable Fabrication of Self-Aligned Graphene Transistors and Circuits on GlassNano Lett.12, 2653, (2012).

[20]L. Liao, Y. C. Lin, M. Q. Bao, R. Cheng, J. W. Bai, Y. Liu, Y. Q. Qu, K..L. Wang, Y. Huang, X. F. Duan High speed graphene transistors with a self-aligned nanowire gateNature467, 305, (2010).

[1]2022-2023，湖南省自然科学一等奖 排名第一

[2]2023，国际材料联合会青年科学家奖

[3]2022，教育部自然科学一等奖 排名第二

[4]2022，科睿唯安全球高被引学者

[5]2021，湖北省自然科学一等奖 排名第二

[6]2021，湖南省青年科技奖

[7]2021，爱思唯尔中国高被引学者

[8]2020，科睿唯安全球高被引学者

[9]2019，国家自然科学基金JQ项目

[10]2018，科睿唯安全球高被引学者

[11]2017，湖南省湖湘青年英才

[12]2016，中国侨联贡献奖

[13]2015，中组部QB人才计划

[14]2012，湖北省自然科学一等奖 排名第二

[15]2012，国家自然科学基金YQ项目